МОЛОДЕЖНЫЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ВЕСТНИК

Файл статьи: Кузнецов...А.А..pdf (4117.20Кб)

[1].   Андреев В.М., Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Л.: Наука, 1989. 310 с.

[2].   Глиберман А.Я., Зайцева А.К. Кремниевые солнечные батареи. М.–Л.: Госэнергоиздат, 1961. 72 с.

[3].   Комащенко В.Н., Колежук К.В., Ярошенко Н.В., Шереметова Г.И., Бобренко Ю.Н. Спектральная чувствительность гетероструктур p -Cu_1.8S/ n^–-ZnS/ n -A^IIB^IV // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. Вып. 3. С. 332–335.

[4].   Левин Р.В., Маричев А.Е., Шварц М.З., Марухина Е.П., Хвостиков В.П., Пушный Б.В., Мизеров М.Н., Андреев В.М. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0эВ)/InP-гетероструктур // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 5. С. 715–718.

[5].   Бобренко Ю.Н., Павелец С.Ю., Павелец А.М., Ярошенко Н.В. Фотоэлектрические преобразователи с вариозными слоями на основе ZnSe // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып. 10. С. 1381–1384.

[6].   Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р., Хомяк В.В., Орлецкий И.Г., Нетяга В.В. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов
n -CdO– p -InSe // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып. 7. С. 935–938.

[7].   Солован М.Н., Брус В.В., Марьянчук П.Д. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n -TiN/ p -Si // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып. 9. С. 1185–1190.