МОЛОДЕЖНЫЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ВЕСТНИК

Файл статьи: Гладких...А.А..pdf (658.90Кб)

1.      Гладких А.А. Алгоритм расчета локальной плотности заполнения топологии субмикронных СБИС для оптимального размещение dummy-структур – М.: Издательство МГТУ им. Баумана, Сборник трудов Третьей Всероссийской Школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноинженерия», 2010. – стр. 256-267. ISBN 978-5-7038-3453-4

2.      D. O. Ouma, Modeling of Chemical Mechanical Polishing for Dielectric Planarization.Dis. PhD in Electrical Engineering and Computer Science / Dennis Okumu Ouma; Massachusetts Institute of Technology – Massachusetts, 1998. – 228 p.

3.      Амирханов А.В., Волков С.И., Гладких А.А., Демин С.В., Родионов И.А., Столяров А.А. Оптимизация плотности заполнения топологии слоев СБИС, направленная на повышение стабильности технологического процесса химико-механической планаризации. – М., НИИСИ РАН, Математическое и компьютерное моделирование систем: теоретические и прикладные аспекты, 2009. – стр. 50-55.

4.      Гладких А.А. Анализ повторяемости и точности моделирования операции химико-механической планаризации слоя двуокиси кремния. – М.: Издательство МГТУ им. Баумана, 13-я Молодежная международная научно-техническая конференция «Наукоемкие технологии и интеллектуальные системы 2011», 2011. – стр. 324-338

5.      Brian Lee, Ph. D. Modeling of Chemical Mechanical Polishing for Shallow Trench Isolation

6.      S. Wolf, Silicon Processing for the VLSI Era: Vol. 2 - Process Integration, Lattice Press, Sunset Beach CA, Chapter 13, 1990.

T. H. Smith. Device Independent Process Control of Dielectric Chemical Mechanical Polishing. – Massachusetts Institute of Technology, 1999. – 162 p.