Другие журналы
|
научное издание МГТУ им. Н.Э. БауманаНАУКА и ОБРАЗОВАНИЕИздатель ФГБОУ ВПО "МГТУ им. Н.Э. Баумана". Эл № ФС 77 - 48211. ISSN 1994-0408![]()
77-30569/297102 Сравнение особенностей механолюминесценции в кристаллах ZnS и (Ba, Sr)Al2O4.
# 01, январь 2012
Файл статьи:
![]() УДК.548.4 МГТУ им. Н.Э. Баумана ВлГУ им. А.Г. и Н.Г. Столетовых, Владимир В настоящее время наблюдается устойчивая тенденция к переходу от электронной элементной базы и электрических систем к фотонным. Сформировалось новое направление исследований — фотоника, достижения которой все шире используются при разработке информационно-измерительных систем нового поколения. В связи с этим возрастает интерес и к сенсорным элементам, имеющим в основе механолюминесцентные материалы [1,2]. Механолюминесценция (МЛ) — это способность материала люминесцировать (светиться) в результате пластической деформации, возникающей при механическом воздействии на него (например, изгибе, сжатии, ударе, вибрации и т.д.). Особенностью таких сенсорных элементов является прямое преобразование механического воздействия в оптический сигнал, поэтому они могут непосредственно интегрироваться в оптоволоконные информационно-измерительные системы и сети. Сенсорные элементы могут применяться совместно с устройствами интегральной и волоконной оптики в датчиках ударных воздействий, системах регистрации и мониторинга импульсных механических нагрузок и вибрации, например, в геофизике (сейсмологии) и в авиакосмической технике. Имеются перспективы использования этих элементов и в оптических ячейках памяти. Мехатронные сети на основе механолюминесцентных сенсорных элементов и оптоволоконных линий передачи информации нечувствительны к внешним электромагнитным помехам, автоматически обеспечивая гальваническую развязку.Использование помимо амплитудно-временных параметров оптического сигнала его пространственной модуляции, спектра (цвета) и состояния поляризации повышает информативность передаваемого сигнала. В связи с этим большую актуальность приобретает исследование известных и поиск новых механолюминесцентных материалов, обладающих высокой эффективностью преобразования механических воздействий в оптический сигнал. Известными своей способностью к МЛ являетсяширокий круг химических соединений. Несмотря на общее название, механизм МЛ варьируется в разных группах соединений. Этот факт имеет значение для последующего использования механолюминофоров в приборостроении. На данный момент относительно хорошо изучены механизмы МЛ нескольких групп соединений, среди которых некоторые металлы и кварц [3, 4], а также легированные d-металлами полупроводники вида А(II)В(VI) и соединения вида MAl2O4 (M=Sr,Ba), легированные редкоземельными элементами. Цель настоящей работы – анализ механолюминесцентных процессов в двух последних группах, как наиболее перспективных для практического применения. Кристаллический сульфид цинка ZnS(сфалерит) является классическим примером механолюминофоров А(II)В(VI). В отсутствие примесей он практически не проявляет механолюминесцентных свойств. В случае же легирования его, например, марганцем он приобретает свойства механолюминофоров. Экспериментально обнаружено [5], что процесс МЛ в ZnSобусловлен наличием движущихся дислокаций, обладающих сильным электрическим зарядом. Именно механическая деформация приводит к движению дислокаций, при взаимодействии с полем которых, происходит возбуждение (ионизация) центров свечения - атомов примеси (ЦС) с последующими излучательными переходами. Сильный заряд дислокаций обусловлен большой долей ионной составляющей химической связи между атомами Zn и S. При пластической деформации кристалла происходит движение большого числа дислокаций, взаимодействующих с ЦС. Доля взаимодействующих ЦС от их общего числа составляет [6]
где
С большой степенью вероятности можно допустить, что каждый ЦС возбуждается дислокациями только один раз, тогда скорость возбуждения ЦС во всём объёме кристалла равна [7]
В основу физической модели МЛ положено явление туннелирования электронов примесных центров свечения в электрическом поле движущихся дислокаций, возникающих при пластической деформации кристалла. Известна электрическая модель, согласно которой дислокация, как линейный дефект кристаллической решётки может быть представлена в виде цилиндра пространственного заряда с центральным ядром, заполненным электронами. При пластической деформации дислокации сдвигаются с места и начинают перемещаться внутри объёма кристалла, в котором приблизительно равномерно распределены ЦС. Данный процесс изображён на рис. 1, где введены следующие обозначения: 1- объём кристалла V0; 2 - невозбуждённые центры свечения; 3 – цилиндр пространственного заряда; 4 - возбуждённые центры свечения; 5 - центры свечения во время излучательных переходов; 6 - центры свечения после излучательных переходов; UD – скорость движения дислокации; rвз– радиус взаимодействия; lD – длина дислокации. По мере приближения дислокации к ЦС, он перемещается на более высокий энергетический уровень. Как только произойдёт сближение и перекрытие основных электронных уровней с уровнями ЦС или с зоной проводимости, становятся существенными процессы туннелирования электронов с занятых уровней на свободные и в зону проводимости. Рисунок 1. Схема возбуждения центров свечения движущейся заряженной дислокацией.
Так как скорость туннелирования электрона велика по сравнению со скоростью движения дислокации, то можно считать, что в момент туннелирования ЦС удалён от ядра дислокации на фиксированное расстояние, а туннелирование происходит в постоянном электрическом поле. Сравним вышеописанный механизм с процессами, свойственными для второй из рассматриваемых групп химических соединений вида MAl2O4 (M=Sr,Ba),легированных редкоземельными элементами, например европием и диспрозием. В этом случае люминесценция является результатом работы многоступенчатого механизма, изображённого на рис. 2. Рисунок 2. Структура энергетических уровней центра свечения Eu2+ и ловушек (T+=V1+, V2+, V3+ Dy3+) в твердом растворе SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+): 1- Eu2+(Eu1+)*; 2 - (Eu2+)*; 3 - валентная зона; 4 - зона проводимости; 5 - искажение электронных уровней, вызванное движением дислокации. В случае облучения вещества видимым или УФ излучением происходит возбуждение ионов европия(Eu2+), то есть переход электронов с уровня 4f на уровень 5d. В результате этого, появившейся на уровне 4f дыркой происходит захват электрона из валентной зоны, вследствие чего ион Eu2+ превращается в ионEu1+. Образовавшиеся в валентной зоне дырки, оказавшись в результате диффузии в зоне действия ионов Dy3+ и других ловушек, захватываются ими согласно известному механизму(Dy3+ Несмотря, на вполне ясную теоретическую картину процесса появления механолюминесценции в различных классах соединений, остаётся достаточно широкий круг вопросов, требующих освещения перед возможным практическим применением этого физического явления. К этому кругу относятся, конечно же, проблема синтеза механолюминесцентных соединений требуемых свойств и чистоты, а также чисто конструкторские проблемы поиска инженерных решений и путей использования явления МЛ в приборостроении. Проблема синтеза необходимых соединений должна быть решена в первую очередь, так как дальнейшие инженерные разработки будут опираться именно на эти результаты. Следует отметить, что в связи с этим применительно к соединениям вида А(II)В(VI) (например ZnS) необходимо провести ряд экспериментов, направленных на выявление зависимостей между количеством дислокаций, концентрацией примесей и эффективностью люминесценции. Вероятнее всего, синтез соединений с заданными свойствами позволит добиться эффективной люминесценции при сравнительно небольших физических воздействиях, что позволит создать более чувствительные сенсорные элементы, а это, в свою очередь, потенциально расширит возможности прикладного применения данного физического явления. Применительно ко второй группе рассматриваемых соединений (MAl2O4), вследствие особенностей возникновения люминесценции, следует отметить наличие корреляции между температурой и интенсивностью рекомбинационных процессов, имеющей место в ходе накопления светосуммы и последующей светоотдаче (люминесценции). Таким образом, на интенсивность и самою возможность люминесценции будет влиять не только количество и состав примесей, но и температура окружающей среды. Примеси оказывают влияние на этот «температурный коридор», в пределах которого возможна МЛ. Таким образом, и в случае со второйиз описанных групп соединений, работа на данном этапе сводится к тщательному анализу роли примесей в явлении МЛ.
Заключение
В данной работе произведён анализ механолюминесцентных процессов для двух групп химических соединений, описанных в различных источниках, но ранее не собранных для анализа в рамках одной работы. Рассмотрены основные сходства и отличия процессов в этих группах соединений. Выдвинуты предположения о дальнейших путях развития исследований механолюминесцентных соединений с целью синтеза механолюминофоров со свойствами, требуемыми для приборостроения.
СПИСОКЛИТЕРАТУРЫ
[1] Li C., Xu C.N., Zhang L., Yamada H., Imai Y. Dynamic visualization of stress distribution on metal by mechanoluminescence images. J.Visualization, 2008, v.11, No.4, p.329-335. [2] Татмышевский К.В. Классификация и особенности применения механо- люминесцентных датчиков давления. Датчики и системы, 2004, №12, с.30-33. [3] Силинь А.Р., Трухин А.Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiO2. Рига: Зинатне, 1985. 244 с. [4] Веттегрень В.И., Башкарев А.Я., Мамалимов Р.И., Щербаков И.П. Фрактолюминесценция кристаллического кварца при ударе. Физика твердого тела. 2008. Т. 50. В. 1. С. 29–31. [5] Электронные свойства дислокаций в полупроводниках. /Под редакцией Ю.А. Осипьяна. М.: Эдиториал УРСС, 2000. – 320 с. [6] Макарова Н.Ю., Татмышевский К.В., Механолюминесцентные датчики импульсного давления. Обработка выходного оптического сигнала. Измерительная техника, М., 2007, №10 с.28 [7] Макарова Н.Ю., Татмышевский К.В. Процесс преобразования в механо- люминесцентном сенсоре давления. Инженерная физика, М., 2006, №1, с.50 [8] Банишев А.Ф., Банишев А.А., Большухин В.А., Сыров Ю.В., Хорт А.М., Механолюминесценция и фотолюминесценция мелкодисперсных порошков и пленок на основе твердых растворов SrAl2O4:(Eu2+, Dy3+), Физика и химия обработки материалов, 2010, №2, с.60 [9] Азаров А.Д., Большухин В.А., Евдокимова Т.В., Сощин Н.П. Электронная промышленность. 1 (2006) 24. [10] Du Haiyan, Li Gengshen, Sun Jiayue.Preparation of Non-Grinding Long Afterglow SrAl2O4, : Eu2+, Dy3+ Material by Microwave Combustion Method. Journal of rare earths 25 (2007) 19 – 22. [11] Frederic Clabau, Xavier Rocquefelte, Ste.phane Jobic, Philippe Deniard, Myung-Hwan Whangbo, Alain Garcia, Thierry Le Mercier. On the phosphorescence mechanism in SrAl2O4:Eu2+ and its codoped derivatives. Solid State Sciences 9 (2007) 608-612. Публикации с ключевыми словами: кристаллическая решетка, механолюминесценция, люминофоры, дислокации, центры свечения, ионизация, туннелирование электронов Публикации со словами: кристаллическая решетка, механолюминесценция, люминофоры, дислокации, центры свечения, ионизация, туннелирование электронов Смотри также: Тематические рубрики: Поделиться:
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|