Другие журналы

научное издание МГТУ им. Н.Э. Баумана

НАУКА и ОБРАЗОВАНИЕ

Издатель ФГБОУ ВПО "МГТУ им. Н.Э. Баумана". Эл № ФС 77 - 48211.  ISSN 1994-0408

77-30569/228008 Определение управляемых параметров для конструкторско-технологической оптимизации СВЧ смесителей радиосигналов на резонансно-туннельных диодах по критерию их надежности.

# 10, октябрь 2011
Файл статьи: Шашурин_1_P.pdf (271.33Кб)
авторы: Шашурин В. Д., Ветрова Н. А., Назаров Н. В.

УДК 621.382

МГТУ им. Н.Э. Баумана

shashurin@bmstu.ru

vetrova@bmstu.ru

Тенденции развития современных радиоэлектронных систем связипредполагает улучшение их технических характеристик (увеличение объёма и скорости передачи данных), что требует повышенияпропускной способности систем связи. Это заставляет не только переходить на более высокие рабочие частоты, но и искать пути расширения полосы пропускания узлов приёмных и передающих устройств.

Одним из важных узлов, во многом определяющим характеристики приемного тракта системы связи, является нелинейный преобразователь сигнала – смеситель [[1]]. Существенное улучшение потребительских характеристик систем связи достигается за счёт принципа преобразования частоты принимаемого сигнала – переноса его в частотную область, где он может быть обработан с наибольшей эффективностью. При этом от качества преобразования сигнала смесителем во многом зависят выходные параметры системы связи.

В спектре выходного сигнала смесителя кроме полезной частоты возникает множество интермодуляционных составляющих, уровень которых зависит от конструкции смесителя, соотношения частот и амплитуд входного сигнала и сигнала гетеродина, а также формы вольтамперной характеристики (ВАХ) нелинейного элемента, на основе которого выполнен смеситель. Существующие смесители радиосигналов традиционно строятся на основе диода с барьером Шоттки, который имеет экспоненциальную ВАХ. Устранение паразитных продуктов частотного преобразования осуществляется за счёт включения в цепь смесителя частотных фильтров, что усложняет его схему, увеличивает габариты, повышает цену и снижает надёжность. Кардинальным способом улучшения технических характеристик смесителей радиосигналов является применение нелинейного элемента с ВАХ отличной от экспоненты, что позволяет уменьшить количество интермодуляционных составляющих в спектре выходного сигнала и в результате расширить полосу рабочих частот без применения фильтров [[2]].

Таким перспективным техническим решением является резонансно-туннельный диод (РТД) с поперечным токопереносом на базе многослойных гетероструктур А3В5 [[3]]. Квантоворазмерный эффект резонансного туннелирования сохраняется при комнатной и повышенной температурах. Изменяя характеристики гетероструктуры РТД (толщину слоев, химический состав), толщина которых составляет несколько нанометров, возможно управлять формой его ВАХ и создавать РТД с оптимальной её формой для конкретного вида нелинейного преобразования. Это позволяет повысить качество и объём передаваемой информации, что особенно важно для систем космической, спутниковой, а также мобильной связи.

Вместе с тем смесители радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов (См РТД), обладая улучшенными эксплуатационными характеристиками, характеризуются на сегодняшний день достаточно низкими показателями надежности (гамма-процентная наработка до отказа Tγ=0,9999 составляет 3-4 года [[4]]). В то время как для авиационного приборостроения необходимы смесители радиосигналов с Tγ=0,9999≈6-8 лет, для космической отрасли – 13-15 лет. Задача достижения указанных значений надежности может быть решена при системном подходе к этой проблеме, основанном на выявлении причинно-следственных факторов, определяющих формирование отказов смесителей и учитывающих конструкторско-технологические особенности их производства. Первоочередной задачей в этом системном подходе является выявление управляемых параметров для оптимизации См РТД СВЧ по критерию надежности.

Математическая модель формирования отображения параметров гетероструктуры РТД в пространство ВАХ диода в соответствующий момент времени t(формирование ВАХ диода в момент t) может быть основана на формуле Цу-Есаки [[5]]. Для вычисления прозрачности исследуемой слоистой наноструктуры необходимо решить одномерное стационарное уравнение Шредингера для одного электрона, например, методом матриц переноса.

Математическая модель деградационных процессов гетероструктуры основана на том факте, что диффузия внутри резонансно-туннельной структуры является тем определяющим процессом, который модифицирует физико-химические свойства гетероструктуры, следовательно, изменяет условия токопереноса в РТД (изменяет форму ВАХ РТД) и, таким образом, влияет на изменение выходных электрических параметров смесителя радиосигналов. Надежность РТД на основе GaAs/AlxGa1-xAs определяется скоростью диффузии алюминия в прилегающие слои, а математическая модель деградационных процессов гетероструктуры может быть построена на основе уравнения диффузии Фика (модель одномерной диффузии Al поперёк слоёв гетероструктуры разработана в [4]).

Для формирования функции отображения пространства параметров См РТД СВЧ во множество эксплуатационных характеристик смесителя в фиксированный момент времени может быть использован программный продукт Microwave Office AWR Design Environment.

В соответствии с представленной математической моделью было проведено численное моделирование для выявления параметров гетероструктуры наиболее сильно влияющих на выходные характеристики См РТД СВЧ с учетом старения гетероструктуры (т. е. дрейфа ВАХ РТД и, как следствие, выходных характеристик См РТД СВЧ). Расчет деградационных процессов в гетероструктуре РТД реализован в программном пакете DiRL, для расчета ВАХ РТД использовался программный продукт VARMA, для расчёта выходных электрических параметров смесителя с учетом технологических погрешностей – MicrowaveOffice. Для решения обозначенной задачи исследована чувствительность основных выходных характеристик (потерь преобразования L и коэффициента 1 дБ-компрессии K1dB) балансного См РТД СВЧ (fc=11,05 ГГц; Pc=-20 дБм; fг=11,4 ГГц; fпч=350 МГц) к изменению параметров гетероструктуры (толщин барьеров и ямы, высоты барьеров). Смеситель реализован на РТД с симметричной двухбарьерной GaAs - AlAs – гетероструктурой, условно названной структурой «A» или резонансно-туннельной структурой (РТС) «A», параметры которой вместе с параметрами РТД, реализованного на этой структуре (далее – РТД «A») таковы: высоты Vbсимметричных барьеров = 1эВ, Ef= 0,077 эВ, Nw = 9 монослоев GaAs; Nb1= Nb2 = 5 монослоев AlAs, S= 900 мкм2. Первый пик прозрачности ГС «A» для нулевого напряжения расположен на E0= 0,19119 эВ, его ширина на уровне 0,7 составляет Γ0=2,67·10-5 эВ. Такой балансный См РТД СВЧ имеет ВАХ в начальный момент времени (t=0), представленную на рис. 1.

Рис. 1. Изменение во времени ВАХ РТС на основе структуры «A», обусловленное диффузией Al в прилежащие слои

Коэффициенты аппроксимирующей кривой ВАХ РТД «A» (полинома 15-ой степени) задают параметры элемента Nonlinear Resistor в электрической схеме См РТД СВЧ. Потери преобразования L и коэффициент 1 дБ-компрессии K1dB рассматриваемого См РТД СВЧ в начальный момент времени составили соответственно 8,3 дБ и -14,8 дБм.

Деградация гетероструктуры РТД (диффузия алюминия из барьерных слоёв структуры «A» в соседние слои) определяет дрейф ВАХ во времени, представленный на рис. 1.

Результаты моделирования изменения потерь преобразования L(t) и коэффициента 1дБ-компрессии K1dB(t) в процессе деградации гетероструктуры РТД (диффузии алюминия из барьерных слоёв структуры «A» в соседние слои) приведены на рис. 2 и рис. 3. Согласно этим рисункам надежность См РТД СВЧ определяется изменениями потерь преобразования в процессе деградации.

Рис. 2. «Старение» См РТД СВЧ, реализованного на гетероструктуре «A», по потерям преобразования L(t)

 

Рис. 3. Изменение коэффициента 1дБ-компрессии K1dB(t) См РТД СВЧ, реализованного на гетероструктуре «A», во времени t

Проведем исследование чувствительности выходных электрических параметров (потерь преобразования и коэффициента 1 дБ-компрессии) См РТД СВЧ к параметрам гетероструктуры в процессе ее деградации. Т. к. в процессе деградации гетероструктуры ВАХ РТД «укладывается» к оси напряжений, то с точки зрения надежности интересовать нас будут все возможные варианты управления параметрами гетероструктур, позволяющие увеличить крутизну ВАХ.

Структуры, отличающиеся от гетероструктуры «A» одним из параметров, обозначим «modA-[*]», где в квадратных скобках [*] будем указывать собственно тот параметр, который отличает модифицированную гетероструктуру от «A», а именно: Nw – толщина наноразмерного нелегированного слоя GaAs, образующего потенциальную яму на профиле потенциальной энергии РТС из-за разницы в уровне зоны проводимости GaAs и AlxGa1-xAs; Nb – толщина симметричных слоев AlxGa1-xAs, так называемых, барьеров резонансно-туннельной структуры (РТС); Vb – высота барьеров симметричной РТС (разница в уровне зоны проводимости GaAs и AlxGa1-xAs).

Исследование чувствительности выходных электрических параметров балансного См РТД СВЧ к толщине барьеров симметричной слоистой гетероструктуры Nb

При уменьшении толщины Nb симметричных барьеров слоистой наноструктуры «modA-[Nb]» с 5 до 3 нанослоев AlAs: энергия E0 резонанса примерно остается постоянной около E0≈0,19 эВ; ширина Г0 первого резонансного пика увеличивается на порядок с 3,0·10-5 до 6,8·10-4 эВ (ширина Г0 пропорциональна вероятности ухода из ямы, поэтому она растет с уменьшением толщины барьеров); амплитуда f резонанса для симметричной структуры f = 1. Указанная динамика позволяет ожидать увеличение пиковых значений тока перед первым падающим участком ВАХ структур «modA-[Nb]». При увеличении же толщины Nb симметричных барьеров с 5 до 7 нанослоев AlAs, соответственно, наблюдаем противоположные изменения характеристик первого резонансного пика и пиковых значений тока перед первым падающим участком ВАХ структур «modA-[Nb]».

Для анализа влияния изменений толщин Nbсимметричных барьеров на ВАХ рассматриваемой слоистой наноструктуры «А» при неизменных всех прочих параметрах моделировались структуры с толщиной симметричных барьеров от 3 до 7 монослоев AlAs (рис. 4 и рис. 5).

Рис. 4. Влияние толщины Nbсимметричных барьеров структуры
«
modA-[Nb]» на её ВАХ

 

Рис. 5. Влияние толщины Nb барьеров слоистой наноструктуры «modA-[Nb]» на потери преобразования балансного смесителя на основе РТД

Коэффициент чувствительности потерь преобразования L балансного См РТД СВЧ к толщине барьеров симметричной слоистой гетероструктуры Nb  рассчитаем по формуле :

                         

где Lnew и Lисх – потери преобразования См РТД СВЧ на базе гетероструктуры «modA-[Nb-1] и «A», соответственно. Численные значения коэффициента чувствительности приведены в таблице Таблица 1.

Таблица 1.

Коэффициент чувствительности (%) потерь преобразования SL к уменьшению толщины барьеров Nb гетероструктуры на 1 монослой

Наработка

0

0,5 года

2 года

8,5 лет

15 лет

-189,0

-174,6

-151,7

-137,8

-127,3

Таким образом, как могло бы показаться на первый взгляд благоприятное с точки зрения деградации изменение ВАХ РТД с уменьшением толщины барьеров симметричной структуры «A» (повышение значений максимальных токов перед падающим участком) сопровождается сильным ухудшением потерь преобразования.

Исследование чувствительности выходных электрических параметров балансного См РТД СВЧ к высоте барьеров симметричной слоистой гетероструктуры Vb

Для анализа влияния изменений высоты Vbсимметричных барьеров на ВАХ рассматриваемой слоистой наноструктуры «А» при неизменных всех прочих параметрах (Ef= 0,077 эВ; Nw = 9 монослоев GaAs; Nb1= Nb2 = 5 монослоев AlAs, S= 900 мкм2) моделировались структуры с высотой симметричных барьеров от 1 до 0,6 эВ (рис. 6 и рис. 7).

Рис. 6. Влияние высоты Vbсимметричных барьеров структуры «modA-[Vb]» на ВАХ

 

Рис. 7. Влияние высоты Vb барьеров РТД «modA-[Vb]» на потери преобразования балансного смесителя на основе РТД

Коэффициент чувствительности потерь преобразования L балансного См РТД СВЧ к высоте барьеров симметричной слоистой гетероструктуры Vb  рассчитаем по формуле :

                             

где Lnew и Lисх (Vb,newи Vb,исх) – потери преобразования См РТД СВЧ (высоты потенциальных барьеров РТС) на базе гетероструктуры «modA-[Vb-1] и «A», соответственно. Численные значения коэффициента чувствительности приведены в таблице Таблица 2.

Таблица 2.

Коэффициент чувствительности (%) потерь преобразования SL к уменьшению высоты барьеров Vb гетероструктуры на 0,1 эВ

Наработка

0

0,5 года

2 года

8,5 лет

15 лет

-13,5

-10,7

0,8

-0,7

-0,4

Таким образом, как и в случае с уменьшением толщины барьеров, уменьшение их высоты (повышение значений максимальных токов перед падающим участком) сопровождается сильным ухудшением потерь преобразования.

Исследование чувствительности выходных электрических параметров балансного См РТД СВЧ к толщине ямы симметричной слоистой гетероструктуры Nw

Для анализа влияния изменений толщины ямы на ВАХ рассматриваемой слоистой наноструктуры «А» при неизменных всех прочих параметрах (Ef=0,077 эВ; V=0,9 эВ; Nb1=Nb2=5 монослоев AlAs, S=900 мкм2) моделировались структуры с  шириной ямы от 6 до 11 монослоев GaAs. Результаты моделирования приведены на рис. 8 - рис. 10.

Рис. 8. Влияние толщины ямы Nw структуры «modA-[Nw]» на ВАХ

 

Рис. 9. Влияние толщины ямы Nw на потери преобразования балансного смесителя на основе РТД «modA-[Nw

 

Рис. 10. Влияние толщины ямы Nw на коэффициент 1дБ - компрессии балансного смесителя на основе РТД «modA-[Nw

Коэффициент чувствительности потерь преобразования L балансного См РТД СВЧ к толщине ямы симметричной слоистой гетероструктуры Nw рассчитаем по формуле :

                        

где Lnew и Lисх (Nw,newи Nw,исх) – потери преобразования См РТД СВЧ (толщины ям РТС) на базе гетероструктур «modA-[Nw-1] и «A», соответственно.

Коэффициент чувствительности коэффициента 1 дБ – компрессии K1dB балансного См РТД СВЧ к толщине ямы симметричной слоистой гетероструктуры Nw  рассчитаем по формуле :

                                                                              

где K1dB,new и K1dB,исх – коэффициент 1 дБ – компрессии См РТД СВЧ на базе гетероструктур «modA-[Nw-1] и «A», соответственно. Численные значения коэффициента чувствительности приведены в таблице Таблица 3.

Таблица 3.

Коэффициенты чувствительности (%) потерь преобразования SL и коэффициента 1 дБ-компрессии SK1dB к уменьшению толщины ямы Nw ГС на 1 монослой GaAs

Наработка

0

0,5 года

2 года

8,5 лет

15 лет

35,4

54,2

39,6

26,1

31,6

16,9

15,5

14,5

14,9

12,3

Таким образом, важный вывод, который позволило сделать численное моделирование балансного См РТД СВЧ следующий: уменьшение номинальной толщины барьеров и их высоты влечет за собой сильные ухудшения указанного балансного смесителя по номинальным потерям преобразования и увеличению скорости деградации Al из барьеров в прилежащие слои гетероструктуры (рис. 5 и рис. 7). Уменьшение же номинальной толщины ямы при прочих неизменных параметрах рассмотренной гетероструктуры сопровождается улучшением номинальных значений потерь преобразования с сохранением скорости деградации гетероструктуры и расширением динамического диапазона по коэффициенту 1 дБ - компрессии (рис. 9 и рис. 10). Таким образом, коэффициент чувствительности потерь преобразования и точки 1 дБ-компрессии к уменьшению толщины ямы гетероструктуры максимален на всей рассматриваемой наработке (15 лет), что позволило выбрать толщину ямы двухбарьерной симметричной GaAs - AlxGa1-xAs – гетероструктуры в качестве управляемого параметра для конструкторско-технологической оптимизации См РТД СВЧ по критерию его надежности. Таким образом, установлено, что возможность повышения надежности См РТД СВЧ лежит в оптимизации характеристик резонансно-туннельной структуры нанодиода.

Результаты получены в ходе поисковой научно-исследовательской работы в рамках реализации ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009 – 2013 годы.

Список литературы

 



[1] Приемные системы спутникового телевидения / И.П. Бушминский, Д.И. Кузнецов, А.А. Романов и др. - М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002. – 320 с.

[2] Повышение показателей качества радиоэлектронных систем нового поколения за счет применения резонансно-туннельных нанодиодов / Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, В.Ю. Синякин, И.А. Федоренко, Н.В. Федоркова, И.Б.Федоров, В.Д. Шашурин // Наноинженения в приборостроении. – 2011. – №1. – С. 34-43.

[3] Патент 2372691 (РФ). Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод / В.М. Башков, Ю.А. Иванов, В.Д. Шашурин и др. // Б.И. – 2009. - №14.

[4] Хныкина С.В. Разработка операционной технологии термоиспытаний с целью оценки надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельного диода: Дис. … канд. техн. наук. – М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2008. – 133 с.

[5] Мокеров В.Г. Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике. – М.: Техносфера, 2010. – 435 с.

Поделиться:
 
ПОИСК
 
elibrary crossref ulrichsweb neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)
  RSS
© 2003-2021 «Наука и образование»
Перепечатка материалов журнала без согласования с редакцией запрещена
 Тел.: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)